< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Study and characterization of GaN MOS capacitors : planar vs trench topographies

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: APPLIED PHYSICS LETTERS

ISSN: 1077-3118

Issue: 14

Volume: 120

Jaar van publicatie:2022

Handle: http://hdl.handle.net/1854/LU-01GP3FXPCJXGV75NPM23G1900N
WoS Id: 000827448000008
DOI: https://doi.org/10.1063/5.0087245

Toegankelijkheid:Closed