Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Division
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Projecten
1 - 10 of 17
- Statistische analyse en modellering van selector-vrije niet-filamentaire resistieve RAMVanaf16 jun 2014 → 25 nov 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Verticale IIIV Poort Overal Nanoraad MOSFETs: Procesintegratie en Contact Resistance StudieVanaf20 jan 2014 → 4 sep 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Nieuwe ontwerptechnieken voor apparaten voorbij CMOS-technologie - modelleren en benchmarking van spin-gebaseerde technologieënVanaf4 nov 2013 → 16 mei 2018Financiering: BOF - Nieuwe Onderzoeksinitiatieven
- Verticaal Transistors: een glibberig pad naar het uiteindelijke CMOS schalenVanaf1 nov 2012 → 26 jan 2017Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Studie van zuurstof defecten in III-V MOS componenten met behulp van elektrische en wiskundige methodenVanaf1 okt 2012 → 28 okt 2016Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Gecombineerde tunnel en Raman spectroscopy in nanoporiën voor enkel molecuul analyse.Vanaf1 okt 2011 → 30 sep 2014Financiering: FWO mandaten
- Nano-Elektro-Mechanische relais (ontwerp, fabricage, en karakterisatie)Vanaf6 sep 2011 → 19 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Silicon Epitaxial Layers Grown on Buried Porous Silicon Templates for solar cells: Detailed Electrical and Chemical Understanding (Silicium epitaxiale lagen gegroeid op begraven poreus silicium structuren voor zonnecellen: diepgaande studie van de elektrischeVanaf8 sep 2009 → 17 mrt 2014Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- System Scenario-Based Identification, Prediction and Intelligent Calibration of Processing ElementsVanaf22 jun 2009 → 1 okt 2010Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Large grain defect free polycrystalline silicon thin film solar cells based on a seed layer approachVanaf8 jan 2009 → 1 dec 2011Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 627
- Nano-beam diffraction: crystal structure and strain analysis at the nanoscale(2010)
Auteurs: Gang Wang, Mireia Bargallo Gonzalez
Pagina's: 205 - 219 - Combined IV and CV analysis of laser annealed carbon and boron implanted SiGe epitaxial layers(2010)
Auteurs: Daisuke Kobayashi, Mireia Bargallo Gonzalez, Cor Claeys
Pagina's: 191 - 202 - Radiation damage of Si1-xGex S/D p-MOSFETs with different Ge concentrations(2012)
Auteurs: Mireia Bargallo Gonzalez, Cor Claeys
Pagina's: 3337 - 3340 - EMPIRE: Empirical power/area/timing models for register files(2009)
Auteurs: Praveen Raghavan, Andy Lambrechts, Murali Jayapala, Francky Catthoor, Diederik Verkest
Pagina's: 295 - 300 - Analysis of the total resistance in standard and strained FinFET devices with and without the u se of SEG(2009)
Auteurs: T Nicoletti, JA Martino, Eddy Simoen, Cor Claeys
Pagina's: 575 - 582 - The "U" shape behavior of GIFBE in function of back gate bias in FinFETs(2009)
Auteurs: Paula G Agopian, Joao Antonio Martino, Eddy Simoen, Cor Claeys
Pagina's: 317 - 320 - Impact of partial resistive defects and bias temperature instability on SRAM decoder reliability(2013)
Auteurs: Halil Kukner, Francky Catthoor
- 1.5×10-9 Ω·cm2 contact resistivity on highly doped Si:P using Ge pre-amorphization and Ti silicidation(2015)
Auteurs: Hao Yu, Marc Schaekers, Erik Rosseel, Antony Peter, Joon-Gon Lee, Woo-Bin Song, Steven Demuynck, Thomas Chiarella, Lars-Ake Ragnarsson, Stefan Kubicek, et al.
Pagina's: 592 - 595 - Fin width influence on the harmonic distortion of standard and strained FinFETs operating in saturation(2009)
Auteurs: RT Doria, A Cerdeira, JA Martino, Eddy Simoen, Cor Claeys, MA Pavanello
Pagina's: 613 - 620 - AlGaNGaN-based HEMTs failure physics and reliability: mechanisms affecting gate edge and Schottky junction(2013)
Auteurs: Denis Marcon
Pagina's: 3119 - 3131