< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Anne Verhulst
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 apr 2010 - Elektrische Energiesystemen en -toepassingen (ELECTA) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 31 dec 2007 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2008 → 30 apr 2010
Projecten
1 - 5 of 5
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van hybride nanofluïdische-nano-elektronische componenten voor single-molecule biosensingVanaf26 aug 2021 → 22 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van de tunnel veld-effect transistor.Vanaf19 okt 2009 → 30 apr 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
1 - 10 van 101
- Boosting the Sensitivity of the Nanopore Field-Effect Transistor to Translocating Single Molecules(2022)
Auteurs: Anne Verhulst, Kherim Willems, Pol Van Dorpe
Pagina's: 5732 - 5742 - Dielectric Response in Ferroelectrics Near Polarization Switching: Analytical Calculations, First-Principles Modeling, and Experimental Verification(2022)
Auteurs: Anne Verhulst, Ingrid De Wolf, Jan Van Houdt
Pagina's: 5345 - 5350 - Special Issue on "New Simulation Methodologies for Next-Generation TCAD Tools" Foreword(2021)
Auteurs: Anne Verhulst
Pagina's: 5346 - 5349 - Thermodynamic equilibrium theory revealing increased hysteresis in ferroelectric field-effect transistors with free charge accumulation(2021)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst
- Investigation of Imprint in FE-HfO2 and Its Recovery(2020)
Auteurs: Anne Verhulst, Jan Van Houdt
Pagina's: 4911 - 4917 - Signature of Ballistic Band-Tail Tunneling Current in Tunnel FET(2020)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 3486 - 3491 - Large Variation in Temperature Dependence of Band-to-Band Tunneling Current in Tunnel Devices(2019)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 1864 - 1867 - Process-Induced Power-Performance Variability in Sub-5nm III-V Tunnel FETs(2019)
Auteurs: Yang Xiang, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 2802 - 2808 - Phonon-assisted tunneling in direct-bandgap semiconductors(2019)
Auteurs: Mazharuddin Mohammed, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
- Impact of band to band tunneling in In0.53Ga0.47As tunnel diodes on the deep level transient spectra(2018)
Auteurs: Somya Gupta, Anne Verhulst, Marc Heyns
Patenten
1 - 10 van 10
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- Tunnel field-effect transistors based on silicon nanowires (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier (Inventor)
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)