Hoog-helderheid geschaalde perovskiet lichtgevende apparaten voor injectie laseren

Perovskite halfgeleiders zijn veelbelovend voor opto-elektronische toepassingen zoals zonnecellen en light-emitting diodes (LED's). In slechts enkele jaren van onderzoek hebben perovskiet-LED's een externe kwantumefficiëntie van ongeveer 20% bereikt, bijna op gelijke voet met bestaande technologieën. Het verkleinen van perovskiet-apparaten hangt af van patroontechnologie. Patronen door fotolithografie zullen worden bestudeerd. Afgeschaalde led-stacks en apparaten worden optisch en elektrisch ontworpen, verwerkt en gekenmerkt. De downscaling-studie zal toelaten om te concluderen over het mogelijke voorkomen van parasitaire recombinatiepaden aan geëtste zijden. Aangezien het doelwit apparaten met een hoge helderheid zijn, zal veel aandacht worden besteed aan de interfaces van de perovskiet halfgeleider met gateninjectie- en elektroneninjectielagen. Anorganische injectielagen zullen worden voorgesteld, die waarschijnlijk hogere thermische stress en hogere robuustheid kunnen aanhouden bij hoge injectiestromen. Wat betreft de actieve perovskietlagen, zullen verschillende soorten perovskieten worden vergeleken: organisch, anorganisch en hybriden. Karakterisering van de apparaten met PL en EL, inclusief gepulseerde voorspanning, zal worden uitgevoerd en leiden tot conclusies met betrekking tot de optimale stapel en materialen. Met de kennis van patronen, zullen golfgeleiderstructuren parallel aan de bovenstaande LED-apparaatstudie worden verwerkt. Ze zullen worden gebruikt voor experimenten met optische pompen. Ze zullen evolueren van eenvoudige stapels naar geleidelijk meer elementen van volledige LED-apparaten, inclusief contacten. In het laatste deel zullen gated lichtemitterende diodes met extreem lage optische verliezen worden voorgesteld, ontworpen en verwerkt met behulp van de knowhow opgebouwd in het eerste deel. Het doel is om een elektrisch gepompte laser met dergelijke structuren te bereiken.