< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Low-Temperature Selective Growth of Heavily Boron-Doped Germanium Source/Drain Layers for Advanced pMOS Devices
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: Physica Status Solidi A, Applications and Materials Research
ISSN: 1862-6300
Issue: 3
Volume: 217
Jaar van publicatie:2020
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed