Eerste-principes simulaties van de elektron-fonon koppeling en transporteigenschappen van ultradunne Si kanalen

Het modelleerwerk zal worden uitgevoerd binnen het state-of-the-art atomistische modelleringssimulatieplatform ATOMOS. We onderzoeken de eigenschappen en het ontwerp van Quantum dots gemaakt van Si of een andere combinatie van materialen en heterojuncties. Geavanceerde atomistische tools en methoden voor kwantumtransport gebruiken en uitbreiden om tijdsafhankelijke en correlatie-effecten vast te leggen. We zullen de fundamentele fysica en prestaties van innovatieve quantum-dot devices onderzoeken met als doelwit applicatie qbits voor quantumcomputer en mogelijk opto-elektronica.