< Terug naar vorige pagina

Project

Alternatieve fotoresists voor geavanceerde extreme ultraviolette lithografie (EUVL)

Het PhD project beoogt de ontwikkeling van alternatieve organo metaal chemie gebaseerde foto-resist materialen voor Extreem Ultraviolet (EUV) lithografie. MDe empirische wet van Moore voorspelt dat het aantal transistoren op een IC elk jaar verdubbelt. Belangrijk in het verwezenlijken hiervan zijn de patroon transfer dimensies (grootte en densiteit) via lithografie. Extreem UV lithografie (golflengte 13.5nm) is de leidende technologie voor kleine patroon dimensies en werd recentelijk geintroduceerd voor hoog volume processen in de halfgeleider industrie voor de 7nm technologie node (N7). Cruciaal in het lithografisch proces zijn de fotoresist materialen. Klassiek worden ‘organic chemically amplified resists (CAR)’ gebruikt in EUV lithografie. Hun werking berust op foto geinitieerde zuurfunctie vorming, die na diffusie en reactie de oplosbaarheid van de resist verandert. Diffusie processen resulteren echter in patroon lijn ruwheid stochastische defecten. Recentelijk werden nieuwe resist materialen geintroduceerd, zoals metaaloxide resist, nanopartiekel resist en moleculaire resist (ook wel non-CAR). Voor deze materialen is een ander mechanisme van toepassing voor resist oplosbaarheid verandering. Vaak hebben ze een betere gevoeligheid door aanwezigheid van hoog absorberende componenten en een lagere bijdrage van stochastische effecten omdat ze single component zijn. Een goed begrip van de mechanismes ontbreekt echter. Teneinde het mechanisme te bestuderen is een dieper inzicht in de licht-materie interactie noodzakelijk. De hoog energetische EUV fotononen (92eV) genereren scundaire electronen door interactie met de resist die verdere reacties in de resist initieren. De efficientie van dit proces is afhankelijk van de efficientie waarmee de primaire bundel met het resist materiaal interageert (en dus de absorptie van de EUV straling). Het doel van dit PhD project is het ontwikkelen van kennis rond nieuwe organometaal EUV fotoresist materialen, vertrekkende van bestaande systemen (e.g. metaal-organische frameworks).

Datum:17 dec 2020 →  Heden
Trefwoorden:Alternative Photo-resist for EUV Lithography
Disciplines:Organometallochemie, Nanomanufacturing
Project type:PhD project