< Terug naar vorige pagina

Publicatie

GaN power IC design using the MIT virtual source GaNFET compact model with gate leakage and VT instability effect

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: Semiconductor Science and Technology
ISSN: 0268-1242
Issue: 3
Volume: 36
Jaar van publicatie:2021
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Open