Aanpassing en gebruik van ultrasnelle spectrometrie om de reactiedynamica te ontrafelen in lithografische materialen die worden blootgesteld aan hoge harmonische gegenereerde extreme ultraviolette straling

EUV-blootstelling van resists overspant een complex reactiespectrum van 92 tot 0,02 eV; dit project tracht de radiolyse van hoogenergetische elektronen en de daaropvolgende chemie van laagenergetische elektronen te bestuderen met behulp van ultrasnelle EUV-, IR-, röntgen- en elektronenspectroscopie. Extreme ultraviolet (EUV) lithografie is essentieel voor de fabricage van geavanceerde halfgeleiderelementen. In dit project worden de mogelijkheden onderzocht van interferentie-lithografie met gebruikmaking van EUV-bronnen met hoge harmonischen om kenmerken kleiner dan 10 nanometer te produceren.