< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Reliability of p-GaN gate HEMTs in reverse conduction

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

ISSN: 1557-9646

Issue: 2

Volume: 68

Pagina's: 645 - 652

Jaar van publicatie:2021

DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2020.3042134
Handle: http://hdl.handle.net/1854/LU-8715699
WoS Id: 000612147300031

Toegankelijkheid:Closed

Zie ook: Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction