Interferentie Lithografie gebruikmakend van Extreem Ultraviolet straling

Lithografie vormt de basis voor halfgeleider proces technologie in de informatie en communicatie toepassingen. Tot op heden werden conventionele processen uitgevoerd met gebruik van diep ultraviolet straling. De noodzaak voor snellere en kleinere halfgeleider componenten, en de verdere miniaturisatie vereist het gebruik van Extreem Ultraviolet straling. Door het gebruik van EUV wordt de diffractie limiet verlaagd, wat het printen van kleinere dimensies toelaat, echter niet zonder problemen gerelateerd aan stochastische variatie en slecht functioneren van de componenten. De studie van de stochastische defecten en de optimalisatie van EUV lithografie is bemoeilijkt door de beperkte foton flux van de EUV bronnen. Tot op heden was dit enkel beschikbaar in EUV scanners of in synchrotron faciliteiten. Een alternatieve bron van EUV straling kan gegenereerd worden via ‘high-order harmonic generation (HHG)’, waar zichtbaar of infrarood laser pulsen van een lab opstelling geconverteerd worden tot UV of EUV straling. Deze labo-opstellingen kunnen gebruikt worden voor interferentie lithografie van fotoresist materialen, en zijn aldus een test-opstelling voor gedetailleerde lithografie studies. Het PhD project heeft als doel om materiaal studies voor en na EUV exposure te doen en zal gebruik maken van de HHG- bronnen in imec’s Attolab infrastructuur. De experimentele resultaten zullen gebruikt worden voor de ontwikkeling van lithografie modellen m.b.t. de complexe fotoresist chemische processen. Deze inzichten moeten ook toelaten om de stochastische variatie te minimaliseren.