< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Experimental Details of a Steep-Slope Ferroelectric InGaAs Tunnel-FET With High-Quality PZT and Modeling Insights in the Transient Polarization (vol 67, pg 377, 2020)
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 7
Volume: 67
Pagina's: 3017 - 3017
Toegankelijkheid:Open