< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Point defect formation near the epitaxial Ge(001) growth surface and the impact on phosphorus doping activation

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-8979
Issue: 12
Volume: 130
Jaar van publicatie:2021