Onderzoeker
Andre Stesmans
- Disciplines:Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica
Affiliaties
- Halfgeleiderfysica (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → Heden
Projecten
1 - 10 of 10
- Studie op atomaire schaal van paramagnetische defecten in 2-dimensionale halfgeleiderlagen: MoS2Vanaf1 jan 2016 → 23 jan 2020Financiering: BOF - Nieuwe Onderzoeksinitiatieven
- Geavanceerde Ultra-gevoelige magnetometrie infrastructuur. AutomatischVanaf19 mei 2014 → 18 nov 2018Financiering: Hercules - Kleine en middelzware apparatuur
- Interne fotoemissie in halfgeleiderheterostructuren met geconstrueerde barrières: Invloed van grensvlakdipolenVanaf1 okt 2013 → 10 sep 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- magnetisch en magneto-optische fenomenen in anorganische/organische hybride materialenVanaf1 jan 2013 → 31 dec 2016Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Spectroscopie van halfgeleiders/isolator en metaal/isolator grensvlakdipolen.Vanaf1 jan 2013 → 31 dec 2016Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Kristallijne organische dunne films met een grote excitondiffusielengte voor hoog-efficiënte zonnecellen.Vanaf1 okt 2012 → 30 sep 2013Financiering: BOF - Andere acties
- Elektronisch en ionisch transport in functionele oxides.Vanaf1 okt 2010 → 30 sep 2013Financiering: FWO mandaten
- SILASOL: Nieuwe Silicium Materialen voor fotovoltaïsche toepassingen.Vanaf1 jan 2010 → 31 dec 2013Financiering: SBO (Strategisch Basisonderzoek)
- Spectroscopie van elektrontoestanden aan grenslagen van AIIIBV halfgeleiders met niet-eigen oxiden.Vanaf1 jan 2009 → 31 dec 2014Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Nanoschaal begrenzingsfenomenen in fluxonica en Fotonica gemeten en afgesteld via magnetische velden.Vanaf1 okt 2008 → 30 sep 2013Financiering: BOF - Geconcert. Onderzoeksacties vanaf 1994
Publicaties
291 - 300 van 310
- Electronic strusture of GeO2-passivated interfaces of (100)Ge with Al2O3 and HfO2(2008)
Auteurs: Valeri Afanas'ev, Andre Stesmans, Annelies Delabie, Florence Bellenger, Michel Houssa, Marc Meuris
Pagina's: 1 - 3 - ESR of interfaces and nanolayers in semiconductor heterostructures(2008)
Auteurs: Andre Stesmans, Valeri Afanasiev
Pagina's: 435 - 482 - High performance oxide diode
Auteurs: Iuliana Radu, Koen Martens, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Andre Stesmans
Pagina's: 586 - 587 - Electron accumulation in graphene by interaction with optically excited quantum dots
Auteurs: Alexander Klekachev, Mirco Cantoro, Andre Stesmans, Marc Heyns, Stefan De Gendt
Pagina's: 1046 - 1049 - Internal Photoemission in Semiconductor Heterostructures with Engineered Barriers: Impact of Interface Dipoles
Auteurs: Nadiia Kolomiiets, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans
- Influence of metal capping layer on the work function of Mo gated metal-oxide semiconductor stacks
Auteurs: Andre Stesmans, Stefan De Gendt, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 3 - Characterization of thin films of the solid electrolyte LixMg1-2xAl2+xO4 (x = 0, 0.05, 0.15, 0.25)
Auteurs: Brecht Put, Philippe Vereecken, Maarten Mees, Fabio Rosciano, Iuliana Radu, Andre Stesmans
Pagina's: 29045 - 29056 - \Graphene Transistors and Photodetectors
Auteurs: Andre Stesmans, Marc Heyns, Stefan De Gendt
Pagina's: 63 - 68 - Electronic structure at interfaces of cubic Gd2O3 with embedded Si nanocrystals
Auteurs: Mikhail Badylevich, Sheron Shamuilia, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans, A Laha, HJ Osten, A Fissel
Pagina's: 2382 - 2384 - Photoconductivity of Hf-based binary metal oxides
Auteurs: Sheron Shamuilia, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans, I McCarthy, SA Campbell, M Boutchich, JMJ Lopes, M Roeckrath, T Heeg, E Rije, et al.
Pagina's: 2400 - 2402