< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Anne Verhulst
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 apr 2010 - Elektrische Energiesystemen en -toepassingen (ELECTA) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 31 dec 2007 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2008 → 30 apr 2010
Projecten
1 - 5 of 5
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van hybride nanofluïdische-nano-elektronische componenten voor single-molecule biosensingVanaf26 aug 2021 → 22 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van de tunnel veld-effect transistor.Vanaf19 okt 2009 → 30 apr 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
21 - 30 van 101
- Pulsed I-V on TFETs: Modeling and measurements(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Marc Heyns
Pagina's: 1489 - 1497 - Inherent transmission probability limit between valence-band and conduction band states and calibration of tunnel-FET parasitics(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Mazharuddin Mohammed, Jasper Bizindavyi, Marc Heyns
Aantal pagina's: 3 - Electric-field induced quantum broadening of the characteristic energy level of traps in semiconductors and oxides(2016)
Auteurs: Mazharuddin Mohammed, Anne Verhulst, Devin Verreck, Guido Groeseneken
Pagina's: 1 - 9 - InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature(2016)
Auteurs: Devin Verreck, Anne Verhulst
Pagina's: 243502 - The Tunnel Field-Effect Transistor(2016)
Auteurs: Devin Verreck, Guido Groeseneken, Anne Verhulst
Pagina's: 1 - 24 - Calibration of the effective tunneling bandgap in GaAsSb/InGaAs for improved TFET performance prediction(2016)
Auteurs: Anne Verhulst, Marc Heyns
Pagina's: 4248 - 4254 - Influence of doping and tunneling interface stoichiometry on n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki diode behavior(2016)
Auteurs: Anne Verhulst, Clement Merckling, Marc Heyns
Pagina's: 73 - 80 - Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs(2016)
Auteurs: Anne Verhulst, Cor Claeys
Aantal pagina's: 3 - Non-uniform strain in lattice-mismatched heterostructure tunnel field-effect transistors(2016)
Auteurs: Devin Verreck, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 412 - 415 - Analog parameters of solid source Zn diffusion InXGa1-XAs nTFETs down to 10K(2016)
Auteurs: Anne Verhulst, Cor Claeys
Pagina's: 124001
Patenten
1 - 10 van 10
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- Tunnel field-effect transistors based on silicon nanowires (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier (Inventor)
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)