Onderzoeker
Anne Verhulst
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 apr 2010 - Elektrische Energiesystemen en -toepassingen (ELECTA) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 31 dec 2007 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2008 → 30 apr 2010
Projecten
1 - 5 of 5
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van hybride nanofluïdische-nano-elektronische componenten voor single-molecule biosensingVanaf26 aug 2021 → 22 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van de tunnel veld-effect transistor.Vanaf19 okt 2009 → 30 apr 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
41 - 50 van 101
- Can p-channel tunnel-field-effect transistors perform as good as n-channel tunnel-FETs?(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Devin Verreck, Mohammad Ali Pourghaderi, Guido Groeseneken
Pagina's: 43103 - 43103 - On the local conductivity of individual diamond seeds and their impact on the interfacial resistance of boron-doped diamond films(2014)
Auteurs: Menelaos - Charalampos Tsigkourakos, Anne Verhulst, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 103 - 112 - Compressively strained SiGe band-to-band tunneling model calibration based on p-i-n diodes and prospect of strained SiGe tunneling field-effect transistors(2014)
Auteurs: Kuo-hsing Kao, Anne Verhulst, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Kristin De Meyer
Pagina's: 1 - 11 - Quantum mechanical solver for confined heterostructure tunnel field-effect transistors(2014)
Auteurs: Devin Verreck, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
- Perspective of tunnel-FET for future low-power technology nodes(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Devin Verreck, Kristin De Meyer, Guido Groeseneken, Marc Heyns
Pagina's: 717 - 720 - Improved source design for p-type tunnel field-effect transistors: Towards truly complementary logic(2014)
Auteurs: Devin Verreck, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 243506 - Band-to-band tunneling MOSCAPs for rapid TFET characterization(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Devin Verreck, Clement Merckling, Koen Martens, Marc Heyns
Pagina's: 63 - 64 - Tensile strained Ge tunnel field-effect transistors: k-p material modeling and numerical device simulation(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Mohammad Ali Pourghaderi, Kristin De Meyer
Pagina's: 44505 - InGaAs tunnel diodes for the calibration of semi-classical and quantum mechanical band-to-band tunneling models(2014)
Auteurs: Quentin Smets, Devin Verreck, Anne Verhulst, Clement Merckling, Wilfried Vandervorst, Bart Sorée, Guido Groeseneken, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 9 - Fabrication and analysis of a Si/Si0.55Ge0.45 heterojunction line tunnel FET(2014)
Auteurs: Anne Verhulst, Kuo-hsing Kao, Guido Groeseneken, Marc Heyns
Pagina's: 707 - 715
Patenten
1 - 10 van 10
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- Tunnel field-effect transistors based on silicon nanowires (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier (Inventor)
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)