Onderzoeker
Anne Verhulst
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 apr 2010 - Elektrische Energiesystemen en -toepassingen (ELECTA) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 31 dec 2007 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2008 → 30 apr 2010
Projecten
1 - 5 of 5
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van hybride nanofluïdische-nano-elektronische componenten voor single-molecule biosensingVanaf26 aug 2021 → 22 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van de tunnel veld-effect transistor.Vanaf19 okt 2009 → 30 apr 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
81 - 90 van 101
- Modeling the single-gate, double-gate and gate-all-around tunnel field-effect transistor(2010)
Auteurs: Anne Verhulst, Daniele Leonelli, William Vandenberghe, Guido Groeseneken
- Advancing CMOS beyond the Si roadmap with Ge and III/V devices(2010)
Auteurs: Marc Heyns, Ali Reza Alian, Federica Gencarelli, Guido Groeseneken, Geert Hellings, Michel Houssa, Daniele Leonelli, Han Chung Lin, Clement Merckling, Anne Verhulst, et al.
Aantal pagina's: 4 - High mobility channel materials and novel devices for scaling of nanoelectronics beyond the Si roadmap(2009)
Auteurs: Marc Heyns, Stefan De Gendt, Annelies Delabie, Geert Eneman, Guido Groeseneken, Michel Houssa, Daniele Leonelli, Koen Martens, Clement Merckling, William Vandenberghe, et al.
Pagina's: 34 - 45 - Tunnel field-effect transistors for future low-power nano-electronics(2009)
Auteurs: Anne Verhulst, William Vandenberghe, Daniele Leonelli, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Guido Groeseneken
Pagina's: 455 - 462 - Complementary Silicon-Based Heterostructure Tunnel-FETs With High Tunnel Rates(2008)
Auteurs: Anne Verhulst, William Vandenberghe, Karen Maex, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Guido Groeseneken
Pagina's: 1398 - 1401 - Boosting the on-current of a n-channel nanowire tunnel field-effect transistor by source material optimization(2008)
Auteurs: Anne Verhulst, William Vandenberghe, Karen Maex, Guido Groeseneken
- Boosting the on-current of silicon nanowire tunnel-FETs(2008)
Auteurs: Anne Verhulst, William Vandenberghe, Stefan De Gendt, Karen Maex, Guido Groeseneken
Pagina's: 143 - +Aantal pagina's: 2 - Growth and integration of high-density CNT for BEOL interconnects(2008)
Auteurs: Anne Verhulst, Nicolo' Chiodarelli, Guido Groeseneken, Marc Heyns, Stefan De Gendt, Philippe Vereecken
Pagina's: 150 - 155 - Analytical model for a tunnel field-effect transistor(2008)
Auteurs: William Vandenberghe, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 902 - 907 - Analytical model for point and line tunneling in a tunnel field-effect transistor(2008)
Auteurs: William Vandenberghe, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 137 - 140
Patenten
1 - 10 van 10
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- Tunnel field-effect transistors based on silicon nanowires (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier (Inventor)
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)