< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → HedenFinanciering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
31 - 40 van 534
- Excitation and propagation of spin waves in non-uniformly magnetized waveguides(2020)
Auteurs: Frederic Vanderveken, Marc Heyns
- Reconfigurable submicrometer spin-wave majority gate with electrical transducers(2020)
Auteurs: Marc Heyns, Iuliana Radu
- Two-dimensional WS2 crystals at predetermined locations by anisotropic growth during atomic layer deposition(2020)
Auteurs: Marc Heyns, Annelies Delabie
- Epitaxy of van der Waals Materials: a Fundamental and Exploratory Study Focused on Molecular Beam Epitaxy of WSe2(2020)
Auteurs: Wouter Mortelmans, Marc Heyns
- Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies(2020)
Auteurs: Marc Heyns
- An Integrated Silicon MOS Single-Electron Transistor Charge Sensor for Spin-Based Quantum Information Processing(2020)
Auteurs: Marc Heyns
Pagina's: 1253 - 1256 - Epitaxial registry and crystallinity of MoS2 via molecular beam and metalorganic vapor phase van der Waals epitaxy(2020)
Auteurs: Wouter Mortelmans, Ankit Nalin Mehta, Yashwanth Balaji, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Clement Merckling
- Understanding Charge Behaviour in a 2D Transition Metal Dichalcogenide MOS System(2020)
Auteurs: Abhinav Gaur, Marc Heyns
- A MOS capacitor model for ultra-thin 2D semiconductors: the impact of interface defects and channel resistance(2020)
Auteurs: Marc Heyns
- On the van der Waals Epitaxy of Homo-/Heterostructures of Transition Metal Dichalcogenides(2020)
Auteurs: Wouter Mortelmans, Yashwanth Balaji, Ruishen Meng, Michel Houssa, Stefan De Gendt, Marc Heyns, Clement Merckling
Pagina's: 27508 - 27517
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Graphene-based semiconductor device (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)