< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Stefan Decoster
- Disciplines:Klassieke fysica, Elementaire deeltjesfysica en hoge-energie fysica, Andere fysica, Toegepaste wiskunde, Kwantumfysica, Nucleaire fysica, Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica, Onderwijskunde
Affiliaties
- Kern- en Stralingsfysica (IKS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2004 → 14 jul 2012
Projecten
1 - 3 of 3
- Roosterplaats van onzuiverheden in halfgeleiders: identificatie en manipulatie.Vanaf1 jan 2012 → 31 dec 2017Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Lokale structuur rond onzuiverheden in groep-IV halfgeleiders.Vanaf1 okt 2010 → 15 jul 2012Financiering: FWO mandaten
- Roosterplaatsbepaling van doperingselementen in groep-IV halfgeleiders.Vanaf1 okt 2009 → 30 sep 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
1 - 10 van 18
- Enhanced Electrical Activation in In-Implanted Si0.35Ge0.65 by C Co-Doping(2017)
Auteurs: Stefan Decoster
Pagina's: 29 - 34 - Electrical and structural properties of In-implanted Si1-xGex alloys(2016)
Auteurs: Stefan Decoster
- EXAFS study of the structural properties of In and In plus C implanted Ge(2016)
Auteurs: Stefan Decoster
- Structural and electrical properties of In-implanted Ge(2015)
Auteurs: Stefan Decoster
- Single Crystalline GeSn On Silicon By Solid Phase Crystallization(2012)
Auteurs: Ruben Lieten, Stefan Decoster, Mariela Andrea Menghini, Maria Seo, André Vantomme, Jean-Pierre Locquet
Pagina's: 915 - 920 - Diluted manganese on the bond-centered site in germanium(2010)
Auteurs: Stefan Decoster, Stefaan Cottenier, Ulrich Wahl, Lino da Costa Pereira, André Vantomme
- Lattice location study of ion implanted Sn and Sn-related defects in Ge(2010)
Auteurs: Stefan Decoster, Stefaan Cottenier, Ulrich Wahl, André Vantomme
Pagina's: 1 - 6 - Lattice location of the group V elements As and Sb in ZnO(2009)
Auteurs: Ulrich Wahl, Stefan Decoster
Pagina's: 4803 - 4806 - Implantation-induced damage in Ge: strain and disorder profiles during defect accumulation and recovery(2009)
Auteurs: Stefan Decoster, André Vantomme
- Ion implantation in Ge: structural and electrical investigation of the induced lattice damage & study of the lattice location of implanted impurities.(2009)
Auteurs: Stefan Decoster, André Vantomme, Ulrich Wahl
Aantal pagina's: 261