< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Wilfried Vandervorst
- Disciplines:Toegepaste wiskunde, Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica, Atoom- en moleculaire fysica, Geofysica, Fysische geografie en omgevingsgeowetenschappen, Andere aardwetenschappen, Aquatische wetenschappen, uitdagingen en vervuiling, Geomatische ingenieurswetenschappen
Affiliaties
- Kwantum-vastestoffysica (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2019 → Heden - Kern- en Stralingsfysica (IKS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 jul 2019 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 34
- Hoge laterale- en diepte-resolutie ionenstraalanalyse van lateraal begrensde nanostructurenVanaf2 sep 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Zelf-focusserende SIMS met in-situ SPM: een paradigmaverschuiving in 3D-metrologieVanaf12 okt 2018 → 13 mei 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Atom-by-atom analyse van geavanceerde halfgeleiderelementen: het ontrafelen van de fysica van atoomprobe tomografieVanaf20 aug 2018 → 22 mei 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Nano-focused Raman spectroscopie voor stess en compositie metingenVanaf31 jul 2018 → 31 jul 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Door laserondersteunde atoomprobe tomografie van oxidematerialen: veldverdampingsmechanismestudie en prestatieverbeteringVanaf15 mei 2018 → 18 dec 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Synthese en karakterisering op atomaire schaal van complexe oxides met elektronische/ionische geleidbaarheidVanaf1 jan 2018 → 31 dec 2021Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Metrologie en fysische mechanismen van 2D overgangsmetaal dichalcogenides en hun toepassing in elektronische schakelingen.Vanaf6 nov 2017 → 31 jan 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Een pad naar verbetering in de atoom probe tomografie van halfgeleiders: de dynamische evolutie van de halfgeleider emitter ontrafelenVanaf1 sep 2017 → 31 dec 2021Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Ontwikkeling en karakterisatie van nano- en micro-referentiestructuren voor 3D chemische analyseVanaf8 feb 2017 → 8 jul 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geavanceerde methodologie voor in-line elektrische karakterisatie van gedoteerde halfgeleiders in geconfineerde volumes.Vanaf1 nov 2016 → 29 aug 2023Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
Publicaties
31 - 40 van 482
- Carrier profiling with fast Fourier transform scanning spreading resistance microscopy: A case study for Ge, GaAs, InGaAs, and InP(2019)
Auteurs: Wilfried Vandervorst
- Atomic scale observation of atom distributions in 3D devices using atom probe tomography(2019)
Auteurs: Davit Melkonyan, Wilfried Vandervorst
- Effects of buried grain boundaries in multilayer MoS2(2019)
Auteurs: Marco Mascaro, Wilfried Vandervorst
- Fabrication and characterization of reference nano and micro structures for 3D chemical analysis(2019)
Auteurs: Masoud Dialameh, Wilfried Vandervorst
- Heavily phosphorus doped germanium: Strong interaction of phosphorus with vacancies and impact of tin alloying on doping activation(2019)
Auteurs: Anurag Vohra, Wilfried Vandervorst
- Self-focusing SIMS: A metrology solution to area selective deposition(2019)
Auteurs: Wilfried Vandervorst
Pagina's: 594 - 599 - Insights into the C Distribution in Si:C/Si:C:P and the Annealing Behavior of Si:C Layers(2019)
Auteurs: Wilfried Vandervorst
Pagina's: P209 - P216 - Low temperature epitaxial growth of Ge:B and Ge0.99Sn0.01:B source/drain for Ge pMOS devices: in-situ and conformal B-doping, selectivity towards oxide and nitride with no need for any post-epi activation treatment(2019)
Auteurs: Anurag Vohra, Wilfried Vandervorst
- Chemical vapor deposition of monolayer-thin WS2 crystals from the WF6 and H2S precursors at low deposition temperature(2019)
Auteurs: Benjamin Groven, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
- Thermodynamic modelling of InAs/InP(001) growth towards quantum dots formation by metalorganic vapor phase epitaxy(2019)
Auteurs: Samiul Hasan, Clement Merckling, Johan Meersschaut, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 133 - 140
Patenten
1 - 10 van 10
- A method and apparatus for aligning a probe for scanning probe microscopy to the tip of a pointed sample (Inventor)
- Device for measuring surface characteristics of a material (Inventor)
- Characterization of regions with different crystallinity in materials (Inventor)
- Method for determining the shape of a sample tip for atom probe tomography (Inventor)
- A device for measuring surface characteristics of a material (Inventor)
- A method and apparatus for transmission for transmission electron (Inventor)
- A method and apparatus for aligning a probe for scanning probe microscopy to the tip of a pointed sample (Inventor)
- Method and apparatus for transmission electron microscopy (Inventor)
- A device and method for two dimensional active carrier profiling of semiconductor components (Inventor)
- A method and apparatus for transmission electron microscopy (Inventor)