Computermodellering en experimentele validatie van plasma en plasma-oppervlak interacties, voor een dieper inzicht in cryogeen plasma etsen (Cryoetch). (Cryoetch)

In navolging van de wet van Moore worden er veel inspanningen gedaan om de karakteristieke dimensies van halfgeleider materials voor microchip toepassingen steeds kleiner te maken. Daarbij speelt plasma etsen een zeer grote rol, omwille van zijn anisotropie. Om echter nog naar kleiner dimensies te gaan dan de huidige 14 nm, zijn er ook voor de huidige "state-of-the-art" plasma etsprocessen belangrijkte uitdagingen, zoals plasma-geinduceerde schade. Om dit te beperken, is een nieuw proces ontwikkeld, nl. cryogeen etsenmet SF6/O2/SiF4 of CxFy plasma's. In dit project bestuderen we de fundamentele mechanismen van het plasma en zijn interactie met oppervlakken, voor deze gasmengsels met behulp van numerieke modellering, alsook cryogene plasma-etsexperimenen om de modelleerresultaten te valideren.

Trefwoorden:PLASMAMODELLERING, PLASMACHEMIE, PLASMAREACTOR, HALFGELEIDER INDUSTRIE

Disciplines:Toegepaste wiskunde, Klassieke fysica, Fysica van gassen, plasma's en elektrische ladingen, Fysische chemie