< Terug naar vorige pagina

Project

Dunne perfected absorbers bovenop CMOS technologie

Klassieke beeldsensors in het zichtbare gebied gebruiken silicium als absorberende halfgeleider. Maar de absorptielengte van silicium in het zichtbare gebied is redelijk groot, bv meer dan 6 microns voor rood licht. De dimensies van de pixels van geavanceerde beeldsensors zijn veel kleiner en kunnen zelf tot 0.7 micron gaan. Als een gevolg hiervan is het een grote uitdaging om crosstalk te voorkomen in hedendaagse beeldsensors. Echter, recent is aangetoond [1-4] dat meta-materialen zo kunnen ontworpen worden dat volledige absorptie kan bekomen worden in lagen van maar een paar nanometer dik. Het is duidelijk dat aan de hand van deze lagen de crosstalk kan voorkomen worden wat het verder kleiner maken van de pixels van beeldsensors mogelijk maakt. Dit doctoraat focust daarop. De toepassing hiervan zijn echter breder dan enkel beeldsensors. Ook zonnecellen kunnen gebruik maken van deze nieuwe concepten. [1] A. Ghobadi, et al.,, “Strong Light–Matter Interaction in Lithography-Free Planar Metamaterial Perfect Absorbers,” ACS Photonics 5, p. 4203, Nov. 2018. [2] M.R.S. Dias, et al., “Lithography-Free, Omnidirectional, CMOS-Compatible AlCu Alloys for Thin-Film Superabsorbers,” Advanced Optical Materials 6, p. 1700830, Jan. 2018. [3] J. Rensberg et al., “Epsilon-Near-Zero Substrate Engineering for Ultrathin-Film Perfect Absorbers,” Phys. Rev. Applied 8, p. 014009, Jul. 2017. [4 ] V. Steenhoff, et al., “Ultrathin Resonant-Cavity-Enhanced Solar Cells with Amorphous Germanium Absorbers,” Advanced Optical Materials 3, p 182, 2015.

Datum:25 nov 2020  →  Heden
Trefwoorden:CMOS technology, image sensors, perovskites
Disciplines:Nanofotonica, Fotodetectoren, optische sensoren en zonnecellen
Project type:PhD project