< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Modeling and Demonstration of Oxygen Vacancy-Based RRAM as Probabilistic Device for Sequence Learning

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 2
Volume: 67
Pagina's: 505 - 511
Aantal pagina's: 7
Jaar van publicatie:2020
Trefwoorden:Elektronica en elektrotechniek, Toegepaste natuurkunde