Projecten
Optimalisatie van toepassingsrelevante eigenschappen in poly(vinylideenfluoride)-gebaseerde homo-, co-en ter-polymeren door beïnvloeding van hun driefasige structuur KU Leuven
Poly(vinylideenfluoride) (PVDF)-gebaseerde homo-, co- en ter-polymeren staan bekend om hun ferro-elektrische en relaxor-ferro-elektrische eigenschappen. Hun semi-kristallijne morfologie bestaat uit kristallijne en amorfe fasen met daartussen interfaceregio's, en bepaalt de relevante elektro-actieve eigenschappen. In dit werk wordt de invloed onderzocht van chemische, thermische en mechanische behandeling op de structuur van op PVDF gebaseerde ...
Ultradunne ferro-elektrische complexe oxiden KU Leuven
In de afgelopen jaren is er een hernieuwde belangstelling voor ferro-elektronica in geïntegreerde elektronica met laag vermogen, zoals geheugen. De ontdekking van ferro-elektrische hafnia heeft geleid tot verdere schaalvergroting van lagen tot een dikte van minder dan 10 nm. De meerfasige aard van hafnia leidt echter tot een slecht uithoudingsvermogen en herhaalbaarheid over de wafel heen. Complexe oxiden, zoals perovskieten, bieden een ...
Grensvlakstudie van ferroelektrica-oxide halfgeleider stapels en strukturen KU Leuven
Dit doctoraatsproject zal nagaan hoe de struktuur van de HfZrO-InGaZnO interface de FeFET karakteristieken bepaalt zodat ik de performantie kan verbeteren. De struktuur van de HfZrO/Oxide halfgeleider combinatie zal bekeken worden met de hulp van fysische en chemische karakteristieken van metaal/HfZrO/halfgeleider/metaal stapels en de afgeleide transistoren. De impact van de halfgeleider (bvb. InGaZnO) depositie en compositie op de HfZrO ...
Ferro-elektrische geheugens: meerlaagse stapels met op maat gemaakte fysieke en elektrische eigenschappen door afzetting van atomaire lagen KU Leuven
In de afgelopen vijf jaar is er sprake geweest van een sterke technologische belangstelling voor dunne films van ferro-elektrische hafnium-zirkoniumoxiden (HZO) als ferro-elektrische materialen voor opkomende herinneringen. Ferroelektriciteit in ferro-elektrische oxiden van het fluoriettype is verklaard door het verschijnen van een polaire orthorhombische Pca21-fase in HZO- of HfO2-polymorfe oxiden. Het is bekend dat het verkleinen van de ...
Chiraliteit, ferro-elektriciteit en oppervlaktegeïnduceerde frustratie in vloeibaar-kristalcomponenten met aanhechtingspatronen voor elektro-optische toepassingen Universiteit Gent
Vloeibaar kristal is een organisch zacht materiaal dat vloeibaar is maar ook een zekere ordening bevat. Deze combinatie van flexibiliteit en ordening geeft aanleiding tot buitengewone materiaaleigenschappen. Vloeibaar kristal wordt op grote schaal commercieel gebruikt in beeldschermen maar kan ook nuttig zijn voor de ontwikkeling van andere optische componenten. Vloeibare kristallen hebben het voordeel dat ze zichzelf kunnen organiseren in ...
Over de niet-lineaire diëlektrische respons in ferro-elektrische materialen binnen het elastische regime en de toepassingen ervan in geheugencellen KU Leuven
Met de ontdekking van een ferro-elektrische fase in HfO2 ongeveer tien jaar geleden, is er een nieuwe onderzoekslijn ontstaan voor de toepassing van ferro-elektriciteit in niet-vluchtige geheugencellen en in de context van machine learning, zoals in-memory computing. Gezien het zeer lage stroomverbruik van het ferro-elektrische schakelmechanisme past deze onderzoekslijn perfect in de huidige trend naar minder energieverslindende en ...
Spin transfer torque using BFO. KU Leuven
Optimalisatie van ferro-elektrische geheugencellen voor de volgende generatie SCM KU Leuven
Vanwege de steeds toenemende vraag naar geheugen met een hogere dichtheid in de huidige elektronische systemen, zijn niet-vluchtige geheugens 3D geworden door veel cellen verticaal op één enkele chip te stapelen. Deze (Flash)-routekaart suggereert echter een verdubbeling van het aantal lagen om de 2-3 jaar om de wet van Moore bij te houden. Bovendien is er door de lage prestaties van deze geheugens ruimte voor nieuwe geheugentechnologieën die ...
Fysieke modellering en optimalisatie van ferro-elektrische FETs voor geheugentoepassingen. KU Leuven
De agressieve downscaling van hedendaagse elektronica beperkt zich niet alleen tot logische componenten, maar ook tot geheugen. Om het tempo vast te houden dat is vastgelegd door de wet van Moore, streeft de industrie momenteel naar de volgende generatie componenten om verdere schaalvergroting mogelijk te maken. De recente ontdekking van ferro-elektrische fasen in gedoteerde high-k materialen zoals hafnium of zirkoniumoxide veroorzaakte een ...