Atoomlaagdepositie van tweedimensionale transitiemetaal dichalcogeniden en ovonic threshold switching materialen: een nieuw computationeel framework voor het ontwerpen van precursoren KU Leuven
Verschillende ideeën om het interne geheugen te verbeteren, worden onderzocht, met als doel snelle en krachtige opslag mogelijk te maken in onze toekomstige mobiele telefoons, tablets en in andere nieuwe technologieën. Voorbeelden zijn DRAM (voor hele snelle toegang), NAND (flashgeheugen dat gebruikt wordt om grote hoeveelheden data op te slaan) en de recent ontwikkelde “Storage Class Memories” (SCM, snelle opslag voor grote hoeveelheden ...