Het Reuze VCMA Effect voor nieuwe MRAM Toepassingen KU Leuven
Het doel van dit project is het mogelijk maken van de volgende generatie magnetische geheugens (MRAM), door de huidige Spin Transfer Torque (STT) stroomgestuurde MRAM te vervangen door een laagvermogen, nonvolatiele spanningsgestuurde technologie. Met spanningsgestuurde MRAM streven we naar een verlaging van het vermogenverbruik van chips, wat van belang is voor de toekomst van de naoelectronica. Energetische efficiëntie is, behalve voor de ...