Karakterisatie van ultra dunne film fotosresist voor hoge resolutie in Extreem Ultraviolet Lithografie KU Leuven
Een grote uitdaging voor fotoresist technologie is het ontwikkelen van een resist platform dewelke het mogelijk maakt om de continue kleiner wordende elementen te printen, tot 8 nm voor high-NA lithografie tegen 2024, binnen de specificaties voor resolutie, lijnrand ruwheid, linebreedte ruwheid en sensitiviteit. Om dit te bewerkstelligen is het noodzakelijk parameters te kwantificeren die de performantie van patroonvorming in extreme ...