ESD Protection for Multiple Gate Field Effect Devices and for RF CMOS Circuits (ESD bescherming voor meervoudige gate veld effect structuren en voor RF CMOS circuits) KU Leuven
Het continu schalen van CMOS technologieën maakt het steeds meer uitdagend om geschikte bescherming te voorzien tegen Elektrostatische Ontladingen (ESD). Door het dunner worden van de gate-oxides worden deze meer kwetsbaar voor ESD gebeurtenissen, zelfs zodanig dat traditionele oplossingsmethoden niet meer bruikbaar worden. Momenteel zijn zowel planaire als finfet structuren geschikte mogelijkheden voor de 45 nm CMOS technologie-node en hier ...