< Terug naar vorige pagina

Publicatie

High threshold voltage enhancement-mode regrown p-GaN gate HEMTs with a robust forward time-dependent gate breakdown stability

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

ISSN: 1558-0563

Issue: 10

Volume: 43

Pagina's: 1625 - 1628

WoS Id: 000861441600012
DOI: https://doi.org/10.1109/led.2022.3198876
Handle: http://hdl.handle.net/1854/LU-01GP3NCJFGMP9VW411PDCFC0HH

Toegankelijkheid:Closed