Metaal-organische grafeenanalogen voor geheugentoepassingen (MOGRAM)

Elektronica en computers geven de wereld zoals we die kennen vorm. Resistieve geheugentechnologie is veelbelovend als opvolger van de huidige silicium-gebaseerde geheugens, omdat zo verdere miniaturisatie, hogere snelheden en een lager energieverbruik mogelijk worden. Deze technologie is gebaseerd op materialen die informatie kunnen opslaan door te schakelen tussen een hoge en een lage elektrische weerstand. Om dit moment is er een gebrek aan duidelijke verbanden tussen de structuur en de eigenschappen van deze materialen en hun ‘ontwerpbaarheid’ is beperkt. Om deze reden zal het MOGRAM project resistieve geheugentechnologie ontwikkelen op basis van kristallijne coördinatiepolymeren (KCPs). Deze materialen vormen door de zelfassemblage van metaalionen en organische linkers. Hun structuur en elektronische eigenschappen kunnen op een rationele manier worden aangepast door de keuze van de linkers en metaalionen. Het project zal focussen op geheugencellen gebaseerd op elektroactieve geleidende KCPs die efficiënt kunnen worden gefabriceerd en geminiaturiseerd. Wegens de kristalliniteit en de ‘designer’-aard van KCPs zullen deze geheugens (i) een groot verschil in elektrische weerstand hebben bij het schakelen; (ii) een kleine variabiliteit tonen; (iii) gemakkelijk schaalbaar zijn; en (iv) toelaten om duidelijke verbanden vast te stellen tussen de structuur en de schakeleigenschappen.