< Terug naar vorige pagina
Organisatie
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems
Division
Hoofdorganisatie:Departement Elektrotechniek (ESAT)
Tijdsduur:1 aug 2020 → Heden
Organisatieprofiel:
Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS, Integrated Systems
Trefwoorden:Integrated circuits, Processing, Submicron, VLSI, Digital design
Disciplines:Ontwerptheorieën en -methoden, Nanotechnologie
Huidige onderzoekers
1 - 10 of 23 results
- Jo De Boeck (Verantwoordelijke)
- Rohith Acharya (Lid)
- Kamal Brahim (Lid)
- Francky Catthoor (Lid)
- Jo De Boeck (Lid)
- Roger De Keersmaecker (Lid)
- Anxhela Doko (Lid)
- Max Gama Monteiro Junior (Lid)
- Benjamin Gys (Lid)
- Vaishnavi Kateel (Lid)
Projecten
1 - 10 of 53
- Ab-initio NEGF transport voor nieuwe generatie energie efficiente 2D materiaal transistoren zoals Koude-bron-, Dirac- en Van der Waals- tunnel FETsVanaf26 jan 2024 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Experimentele studie naar thermionisch 'koude' elektron- en gatenemitters in laagdimensionale materiaalsystemen voor verdere schaling van logische componentenVanaf10 okt 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Geintegreerde 3D geheugenopslag componenten met back-gating.Vanaf19 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Monte Carlo-modellering van elektronentransport in laag-dimensionale materialenVanaf18 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Hardware-efficiënte microarchitectuur en kwantumfoutcorrectiecodes voor grootschalige kwantumprocessorsVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: FWO mandaten
- Het gebruik van qutrits en qudits voor fout tolerante kwantum computatieVanaf1 okt 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Een spintronisch apparaat met heterostructuur op basis van topologische isolatoren en laagdimensionale magnetenVanaf26 sep 2022 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 1401
- Angular and strain dependence of heavy-ions induced degration in SOI FinFETs(2010)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 1924 - 1932 - PV energy yield nowcasting combining sky imaging with simulation models(2015)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 5 - Combined IV and CV analysis of laser annealed carbon and boron implanted SiGe epitaxial layers(2010)
Auteurs: Daisuke Kobayashi, Mireia Bargallo Gonzalez, Cor Claeys
Pagina's: 191 - 202 - Tunneling-lifetime model for metal-oxide-semiconductor structures(2009)
Auteurs: Mohammad Ali Pourghaderi, Kristin De Meyer, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 10 - Electrostatic discharge effects in fully depleted SOI MOSFETs with ultra-thin gate oxide and different strain-inducing techniques(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 59 - 66 - Global State-of-the-Art Overview(2010)
Auteurs: Francky Catthoor
Pagina's: 17 - 32Aantal pagina's: 16 - Radiation damage of Si1-xGex S/D p-MOSFETs with different Ge concentrations(2012)
Auteurs: Mireia Bargallo Gonzalez, Cor Claeys
Pagina's: 3337 - 3340 - Gettering and Passivation of Metals in Silicon and Germanium(2018)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 351 - 388Aantal pagina's: 38 - Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 314 - 318 - High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs(2008)
Auteurs: Cor Claeys
Pagina's: 801 - 807