< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Interfacial properties of nMOSFETs with different Al2O3 capping layer thickness and TiN gate stacks

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

ISSN: 1557-9646

Issue: 3

Volume: 68

Pagina's: 948 - 953

Jaar van publicatie:2021

WoS Id: 000622100700001
Handle: http://hdl.handle.net/1854/LU-8690451
DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2020.3047356

Toegankelijkheid:Closed

Zie ook: Interfacial Properties of nMOSFETs With Different Al2O3 Capping Layer Thickness and TiN Gate Stacks