< Terug naar vorige pagina
Octrooi
Graphene based field effect transistor
A semiconductor device comprising: —� A graphene layer (2), —� A graphene oxide layer (3) overlaying said graphene layer, —� A high-k dielectric layer (8) overlaying said graphene oxide layer as well as a method for producing the same are disclosed.
Octrooi-publicatienummer: EP2790227
Jaar aanvraag: 2013
Jaar toekenning: 2019
Jaar van publicatie: 2019
Status: Toegewezen
URI: link to Espacenet
Technologiedomeinen: Semiconductoren
Gevalideerd voor IOF-sleutel: Ja
Toegewezen aan: Associatie KULeuven