Projecten

Micro- en meso-poreuze materialen worden breed bestudeerd voor toepassingen in onder andere katalyse, gasscheiding, sensoren, optica, ... In de halfgeleider technologie worden deze materialen ook beschouwd als lage diëlektrische constante (low-k) inter metaal isolatoren voor ‘ultra large scale integration (ULSI)’ toepassingen. Verschillende categorieën poreuze materialen zoals silica, zuivere polymeren en metallo-organische ...

De kleinste afmetingen in moderne ICs blijven krimpen met elke technologiegeneratie om een hogere pakkingsdichtheid van transistoren te realizeren. Voor de 5nm technologie wordt voorzien dat de kritische metaalverbindingen een raster zouden hebben van slechts 28nm. Deze afstand is veel kleiner dan de gemiddelde vrije weglengte van elektronen in Cu, wat resulteert in een dramatische en niet-lineaire stijging van de ...

Grafeen, een 2d dimensionaal materiaal bestaande uit sp2 gehybridiseerde koolstofatomen, wordt uitgebreid bestudeerd als vervangmateriaal voor post-Si elektronica. Onder de vele uitdagingen, trekt het contacteren van grafeen veel aandacht. Het effect van metaal contacten op grafeen en de gemeten contact weerstanden zijn aandachtspunten voor het opereren van grafeen apparaten, maar zijn ook van groot belang voor hybride ...

Een eenvoudig en toch onmisbaar onderdeel van elke micro-elektronicachip is een meerlaags bedradingssysteem dat bovenop de laag van de actieve halfgeleider componenten (i.e. transistors, ..) is gebouwd. Dit systeem is verantwoordelijk voor de signaaloverdracht tussen functionele knooppunten van een geïntegreerde schakeling. Terwijl in de begindagen van de micro-elektronica, de IC-prestaties grotendeels werden bepaald door de actieve ...

In de afgelopen 15 jaar is aanzienlijke vooruitgang geboekt in op silicium gebaseerde fotonische integratieplatforms. Door gebruik te maken van sterk beperkte Si-golfgeleiders is de voetafdruk van fotonische IC's drastisch verminderd, hetgeen b.v. CMOS-compatibele elektro-optische transceivers met hoge dichtheid voor kortere optische doorverbindingen. Hedendaagse Si-fotonische platforms gebruiken meestal groep IV-elementen (Si en Ge) voor de ...

Optische lithografie vormt de ruggengraat van de halfgeleider industrie sinds 50 jaar. Deze techniek loopt echter tegen een heel aantal fysische beperkingen aan. Daarom zal er in de toekomst gebruik gemaakt worden van lithografie extreem ultraviolet licht (EUV) voor technologieknopen voorbij 32 nm. De ontwikkeling van EUV lithografie is echter ook een enorme uitdaging. Deze ontwikkeling loopt dan ook vertraging op omwille van problemen met ...

Transitie-metaal dichalcogeniden zoals MoS2 of WS2 zijn halfgeleidende materialen met een gelaagde structuur. Eén enkele laag bestaat uit een vlak van metaalatomen dat aan de boven- en onderkant wordt afgesloten door de zwavel, seleen of tellurium chalcogeenatomen. Deze lagen vertonen een sterke covalente binding in het vlak, terwijl de Van-der-Waals-bindingen tussen aangrenzende lagen zwak zijn. Die zwakke bindingen maken ...

Ontwerp, fabricage en karakterisatie van nieuwe types geïntegreerde optische componenten met uiterst laag vermogenverbruik gebaseerd op integratie van colloïdale nanokristallen in silicium fotonische circuits