Projecten
VAN CO-CULTIVATIE MET WILD TYPE RHIZOBIUM RHIZOGENES TOT PLATFORMTECHNOLOGIE (CO-CULTIVATIE PLATFORMTECHNOLOGIE) Instituut voor Landbouw-, Visserij- en Voedingsonderzoek
Ondanks de economische en ecologische voordelen, is de doorstroming van de Ri technologie naar de commerciële plantenveredeling nog steeds beperkt. Dat komt door knelpunten die zich in elk van de drie grote stappen van de technologie voordoen. 1) de inductie van hairy roots is sterk genotype-afhankelijk en morfologische identificatie is vaak niet mogelijk. 2) de ...
(ELEC) SBR Nanotechnologie voor efficiëntere productie van groene waterstof (Nanotechnologie voor efficiëntere productie van groene waterstof) Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO)
H2-MHytic: H2 VIA MEMBRAAN GEINTEGREERDE HOOG OPPERVLAK NANOMESH TECHNOLOGIE (H2 by MEMBRANE INTEGRATED HIGH-SURFACE-AREA NANOMESH TECHNOLOGY (H2-MHytic)) Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO)
H2020 GeoSmart (LC-SC3-RES12-2018) (Technologies for geothermal to enhance competitiveness in smart and flexible operation) Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO)
EPOC 2030-2050 (Energy technology modelling framework for POlicy support towards a Cost-effective and Sustainable society in 2030 and 2050 (EPO) Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO)
SITA - Novel tandem, high efficiency Photovoltaic technologies targeting low cost production with earth abundant materials (Novel tandem, high efficiency Photovoltaic technologies targeting low cost production with earth abundant materials SITA) Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek (VITO)
STELLAR: Science, Technology, Education, Learning, Leadership, Astronomy, and Resilience (Wetenschap, Technologie, Onderwijs, Leren, Leiderschap, Astronomie en Veerkracht) (STELLAR) Universiteit Antwerpen
Technology Integration of GaN-on-Si HEMTs for Power Electronics Applications (Integratie van technologie van GaN-op-Si HEMTs voor vermogenselektronica toepassingen) KU Leuven
In dit proefschrift hebben we GaN-op-Si HEMTs (Gallium-nitride sensoren met hoge elektronen mobiliteit) onderzocht. III-nitride (III-N) materialen (GaN, AlGaN, AlN) zijn zeer nuttig voor toepassingen waarbij hoge spanningen en/of hoge temperaturen vereist zijn, vanwege hun uitstekende intrinsieke eigenschappen zoals grote bandgap en lage intrinsieke ladingsconcentratie. De III-N hetero-structuur (AlGaN/GaN) leidt tot de vorming van een 2-DEG ...