Modellering van de tunnel veld-effect transistor.

De nanodraden-gebaseerde tunnel veld-effect transistor (tunnel-FET) is een veelbelovende kandidaat om de metaal-oxide-halfgeleider veld-effect transistor te vervangen. Door de afwezigheid van een limiet op de subthreshold swing bij de tunnel-FET, laat deze transistor namelijk een verlaging van de voedingsspanning toe beneden het huidige plateau van 1 V. Het perspectief van een dergelijke doorbraak zorgt voor een sterke wereldwijse interesse in de tunnel-FET. Ondanks het toenemend onderzoel en onze eigen belangrijke conceptuele bijdragen, is het fysisch inzicht in de tunnel-FET werking nog zeer primitief en zijn de ontwikkelde modellen gebaseerd op sterk vereenvoudigde configuraties. Het doel van dit mandaat is het verder ontwikkelen van een model voor de tunnel-FET performantie. Hierbij wordt gestreefd naar het incorporeren van realistische fabricatiemogelijkheden (zoals bijv. doperingsgradiënten) of schakelingsparameters (zoals het aanleggen van een drain spanning) in de modellen, alsook het onderzoeken van niet-conventionele configuraties.

Trefwoorden:Band-to-band tunnelling, Field-effect transistor, Tunnelling, Nano, Subthreshold swing, Low power

Disciplines:Modellering, Multimediaverwerking