< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Deep levels in metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on n-type In0.53Ga0.47As lattice matched to InP substrates
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Gepubliceerd in: Semiconductor Science and Technology
ISSN: 0268-1242
Issue: 7
Volume: 34
Jaar van publicatie:2019
Trefwoorden:Materiaalkunde, Elektronica en elektrotechniek, Vast stoffysica, natuurkunde van vloeistoffen en plasma's
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed
Reviewstatus:Peerreview