< Terug naar vorige pagina
Publicatie
LaSiOx- and Al2O3-Inserted Low-Temperature Gate-Stacks for Improved BTI Reliability in 3-D Sequential Integration
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383
Issue: 3
Volume: 69
Pagina's: 915 - 921
Jaar van publicatie:2022
Toegankelijkheid:Open