< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Karine Florent
- Disciplines:Nanotechnologie, Sensoren, biosensoren en slimme sensoren, Andere elektrotechniek en elektronica, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 29 jul 2019 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 dec 2015 → 31 jul 2020
Projecten
1 - 1 of 1
- Evaluatie van alternatieve vertikale transistors voor 3D NAND toepassingenVanaf1 dec 2015 → 7 jun 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 12
- New Insights into the Imprint Effect in FE-HfO2 and its Recovery(2019)
Auteurs: Karine Florent, Jan Van Houdt
Aantal pagina's: 7 - Thermal Stability of Copper-Nickel and Copper-Nickel Silicide Contacts for Crystalline Silicon(2018)
Auteurs: Abhijit S Kale, William Nemeth, Craig L Perkins, David Young, Alexander Marshall, Karine Florent, Santosh K Kurinec, Paul Stradins, Sumit Agarwal
Pagina's: 2841 - 2848 - The flexoelectric effect in Al-doped hafnium oxide(2018)
Auteurs: Karine Florent, Jan Van Houdt, Wilfried Vandervorst
Pagina's: 8471 - 8476 - Investigation of the Endurance of FE-HfO2 Devices by Means of TDDB Studies(2018)
Auteurs: Karine Florent, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
Aantal pagina's: 7 - First-Principles Perspective on Poling Mechanisms and Ferroelectric/Antiferroelectric Behavior of Hf1-xZrxO2 for FEFET Applications(2018)
Auteurs: Karine Florent, Jan Van Houdt
Aantal pagina's: 4 - Vertical Ferroelectric HfO2 FET based on 3-D NAND Architecture: Towards Dense Low-Power Memory(2018)
Auteurs: Karine Florent, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
Aantal pagina's: 4 - Understanding ferroelectric Al:HfO2 thin films with Si-based electrodes for 3D applications(2017)
Auteurs: Karine Florent, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
Pagina's: 204103 - From planar to vertical capacitors : a first step towards ferroelectric V-FeFET integration(2017)
Auteurs: Karine Florent, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
Pagina's: 164 - 167 - First demonstration of vertically stacked ferroelectric Al doped HfO2 devices for NAND applications(2017)
Auteurs: Karine Florent, Guido Groeseneken, Jan Van Houdt
Pagina's: 158 - 159 - Layered structure of MOS2 investigated using electron energy loss spectroscopy(2015)
Auteurs: Karine Florent
Pagina's: 96 - 99