< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Analysis of semi-insulating carbon-doped GaN layers using deep-level transient spectroscopy
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-8979
Issue: 20
Volume: 130
Jaar van publicatie:2021
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Auteurs:International
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed