< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Michiel Vandemaele
- Disciplines:Nanotechnologie, Sensoren, biosensoren en slimme sensoren, Andere elektrotechniek en elektronica, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2014 → 31 jul 2020
Projecten
1 - 1 of 1
- Geünificeerd fysica-gebaseerd model van degradatie van finFETs en nanodraad FETs voor verder dan 7 nm technologieënVanaf21 sep 2017 → 4 okt 2023Financiering: FWO mandaten
Publicaties
1 - 10 van 19
- Trapping of Hot Carriers in the Forksheet FET Wall: A TCAD Study(2023)
Auteurs: Michiel Vandemaele, Guido Groeseneken
Pagina's: 197 - 200 - Investigating Nanowire, Nanosheet and Forksheet FET Hot-Carrier Reliability via TCAD Simulations(2023)
Auteurs: Michiel Vandemaele, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 10 - The impact of self-heating and its implications on hot-carrier degradation-A modeling study(2021)
Auteurs: Michiel Vandemaele
- Modeling of Repeated FET Hot-Carrier Stress and Anneal Cycles Using Si-H Bond Dissociation/Passivation Energy Distributions(2021)
Auteurs: Michiel Vandemaele, Guido Groeseneken
Pagina's: 1454 - 1460 - A BSIM-Based Predictive Hot-Carrier Aging Compact Model(2021)
Auteurs: Yang Xiang, Michiel Vandemaele, Zhicheng Wu
Pagina's: 1 - 9 - Correlated Time-0 and Hot-Carrier Stress Induced FinFET Parameter Variabilities: Modeling Approach(2020)
Auteurs: Michiel Vandemaele
- A Compact Physics Analytical Model for Hot-Carrier Degradation(2020)
Auteurs: Michiel Vandemaele
Aantal pagina's: 7 - The Influence of Gate Bias on the Anneal of Hot-Carrier Degradation(2020)
Auteurs: Michiel Vandemaele, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 7 - Array-based Statistical Characterization of CMOS Degradation Modes and Modeling of the Time-Dependent Variability Induced by Different Stress Patterns in the {VG,VD} bias space(2019)
Auteurs: Kent Chuang, Michiel Vandemaele
Aantal pagina's: 6 - Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETs(2019)
Auteurs: Michiel Vandemaele
Aantal pagina's: 7