< Terug naar vorige pagina
Publicatie
A Deep Level Transient Spectroscopy Study of Hole Traps in GexSe1-x-based Layers for Ovonic Threshold Switching Selectors
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Gepubliceerd in: Ecs Journal Of Solid State Science And Technology
ISSN: 2162-8769
Issue: 4
Volume: 9
Jaar van publicatie:2020
Trefwoorden:Materiaalkunde, Toegepaste natuurkunde
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:1
CSS-citation score:1
Authors from:Government, Higher Education
Toegankelijkheid:Closed
Reviewstatus:Peerreview