Onderzoeker
Andre Stesmans
- Disciplines:Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica
Affiliaties
- Halfgeleiderfysica (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 1999 → Heden
Projecten
1 - 10 of 10
- Studie op atomaire schaal van paramagnetische defecten in 2-dimensionale halfgeleiderlagen: MoS2Vanaf1 jan 2016 → 23 jan 2020Financiering: BOF - Nieuwe Onderzoeksinitiatieven
- Geavanceerde Ultra-gevoelige magnetometrie infrastructuur. AutomatischVanaf19 mei 2014 → 18 nov 2018Financiering: Hercules - Kleine en middelzware apparatuur
- Interne fotoemissie in halfgeleiderheterostructuren met geconstrueerde barrières: Invloed van grensvlakdipolenVanaf1 okt 2013 → 10 sep 2019Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- magnetisch en magneto-optische fenomenen in anorganische/organische hybride materialenVanaf1 jan 2013 → 31 dec 2016Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Spectroscopie van halfgeleiders/isolator en metaal/isolator grensvlakdipolen.Vanaf1 jan 2013 → 31 dec 2016Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Kristallijne organische dunne films met een grote excitondiffusielengte voor hoog-efficiënte zonnecellen.Vanaf1 okt 2012 → 30 sep 2013Financiering: BOF - Andere acties
- Elektronisch en ionisch transport in functionele oxides.Vanaf1 okt 2010 → 30 sep 2013Financiering: FWO mandaten
- SILASOL: Nieuwe Silicium Materialen voor fotovoltaïsche toepassingen.Vanaf1 jan 2010 → 31 dec 2013Financiering: SBO (Strategisch Basisonderzoek)
- Spectroscopie van elektrontoestanden aan grenslagen van AIIIBV halfgeleiders met niet-eigen oxiden.Vanaf1 jan 2009 → 31 dec 2014Financiering: FWO Onderzoeksproject (incl. WEAVE projecten)
- Nanoschaal begrenzingsfenomenen in fluxonica en Fotonica gemeten en afgesteld via magnetische velden.Vanaf1 okt 2008 → 30 sep 2013Financiering: BOF - Geconcert. Onderzoeksacties vanaf 1994
Publicaties
21 - 30 van 310
- Impact of MoS2 layer transfer on electrostatics of MoS2/SiO2 interface(2019)
Auteurs: Valeri Afanasiev, Michel Houssa, Iuliana Radu, Andre Stesmans
- Contact Resistance at MoS2-Based 2D Metal/Semiconductor Lateral Heterojunctions(2019)
Auteurs: Michel Houssa, Ashish Dabral, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans
Pagina's: 760 - 766 - Hole-Doped 2D InSe for Spintronic Applications(2018)
Auteurs: Michel Houssa, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans
Pagina's: 6656 - 6665 - Two-Dimensional Crystal Grain Size Tuning in WS2 Atomic Layer Deposition: An Insight in the Nucleation Mechanism(2018)
Auteurs: Benjamin Groven, Johan Meersschaut, Ben Schoenaers, Andre Stesmans, Valeri Afanasiev, Wilfried Vandervorst, Marc Heyns, Iuliana Radu, Annelies Delabie
Pagina's: 7648 - 7663 - Structural Properties of Al-O Monolayers in SiO2 on Silicon and the Maximization of Their Negative Fixed Charge Density(2018)
Auteurs: Ben Schoenaers, Andre Stesmans
Pagina's: 30495 - 30505 - Nitrogen acceptor in 2H-polytyp synthetic MoS2 assessed by multifrequency electron spin resonance(2018)
Auteurs: Ben Schoenaers, Andre Stesmans, Valeri Afanasiev
- Ferromagnetism in two-dimensional hole-doped SnO(2018)
Auteurs: Michel Houssa, Konstantina Iordanidou, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans
- On the chemistry and electrochemistry of LiPON breakdown(2018)
Auteurs: Philippe Vereecken, Andre Stesmans
Pagina's: 4848 - 4859 - Silicene on non-metallic substrates: Recent theoretical and experimental advances (vol 11, pg 1169, 2018)(2018)
Auteurs: Emilio Scalise, Konstantina Iordanidou, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans, Michel Houssa
Pagina's: 1755 - 1755 - Silicene on non-metallic substrates: Recent theoretical and experimental advances(2018)
Auteurs: Konstantina Iordanidou, Valeri Afanasiev, Andre Stesmans, Michel Houssa
Pagina's: 1169 - 1182