< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
11 - 20 of 28
- De weg naar enkel-molecuuldetectie met silicium bioFET's: Theorie en ExperimentenVanaf16 aug 2017 → 21 dec 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Spin- Torque Majority Gate ApparatenVanaf6 okt 2016 → 2 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Onderzoek naar betrouwbare high-k gate diëlektrica op gereduceerd thermisch budget, voor integratie met III-V kanalen en sequentieel 3D processing met gelimiteerde thermische stabiliteitVanaf2 okt 2016 → 13 jun 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Epitaxie van van der Waals materialen: een fundamentele en verkennende studie gericht op moleculaire bundel epitaxie van WSe2Vanaf22 sep 2016 → 27 okt 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Tijdsdomein dynamica van spin-overdrachtskoppel geïnduceerde omkering in magnetische tunneljuncties - Implementatiepaden voor snelle spin-logicaVanaf11 mrt 2016 → 25 okt 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektronisch gedrag in het 2D transitie-metaal-dichalcogenide MOS systeemVanaf1 feb 2016 → 7 jul 2020Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Contacten met transitiemetaal dichalcogenide halfgeleidersVanaf6 jan 2015 → 5 feb 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Plasmonische systemen elektrisch aangedreven door tunnel junctiesVanaf30 sep 2014 → 12 dec 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Co-ontwerp van transistor en circuit voor 2D-materiaal gebaseerde transistoren voor toekomstige elektronicaVanaf1 mei 2014 → 14 jun 2018Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Impact van opkomende elektrische en optische 3D-integratietechnologieën op verbindingssystemen met hoge bandbreedteVanaf7 okt 2013 → 15 dec 2021Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 534
- 2D Materials: Theoretical Study of Magnetic and Contact Properties(2023)
Auteurs: Peter Reyntjens, Bart Sorée, Marc Heyns
- Unraveling the impact of nano-scaling on silicon field-effect transistors for the detection of single-molecules(2023)
Auteurs: Marc Heyns, Koen Martens
Pagina's: 2354 - 2368 - GHz Dynamics of Magnetoelectric Coupling at the Nanoscale(2022)
Auteurs: Frederic Vanderveken, Bart Sorée, Marc Heyns
- Design and Characterization of Quantum Devices for Superconducting Qubit Implementation(2022)
Auteurs: Jeroen Verjauw, Marc Heyns
- Path toward manufacturable superconducting qubits with relaxation times exceeding 0.1 ms(2022)
Auteurs: Jeroen Verjauw, Rohith Acharya, Jacques Van Damme, Marc Heyns
- Lifetime Assessment of InxGa1-xAs n-Type Hetero-Epitaxial Layers(2022)
Auteurs: Clement Merckling, Marc Heyns
- Spintronic Logic Based on Magnetic Domain Walls(2022)
Auteurs: Eline Raymenants, Marc Heyns
- Modelling Topological and Magnetic Materials for Charge and Spin-based Devices(2022)
Auteurs: Sabyasachi Tiwari, Bart Sorée, Kristiaan Temst, Marc Heyns
- Understanding Interface Interactions in Graphene-Ruthenium Hybrids for Next Generation Interconnects(2022)
Auteurs: Swati Achra, Marc Heyns, Bart Sorée
- Electrical Modelling and Characterization of Extended Defects in n Type InxGa1-xAs System(2022)
Auteurs: Po-Chun Hsu, Marc Heyns
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Graphene-based semiconductor device (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)