< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Anne Verhulst
- Disciplines:Nanotechnologie, Ontwerptheorieën en -methoden
Affiliaties
- Geassocieerde Afdeling ESAT - INSYS (INSYS), Integrated Systems (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Elektronische Circuits en Systemen (ECS) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 30 apr 2010 - Elektrische Energiesystemen en -toepassingen (ELECTA) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → 31 dec 2007 - Afdeling ESAT - MICAS, Micro-elektronica en Sensoren (Afdeling)
Lid
Vanaf1 okt 2008 → 30 apr 2010
Projecten
1 - 5 of 5
- 3D scanning probe microscopie gebruiksklaar maken voor nanoelektronische componenten analyse en voor TCAD kalibratie van geavanceerde technologie nodesVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwikkeling van DRAM met 3D structuren op basis van nieuwe architecturen, kanaal materialen en dielektrische materialenVanaf13 sep 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Kalibratie van TCAD fabricage simulatoren voor N2 met geavanceerde 2D/3D metrologie oplossingen zoals de SPM-gebaseerde SSRM techniekVanaf22 jun 2023 → HedenFinanciering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van hybride nanofluïdische-nano-elektronische componenten voor single-molecule biosensingVanaf26 aug 2021 → 22 apr 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Modellering van de tunnel veld-effect transistor.Vanaf19 okt 2009 → 30 apr 2010Financiering: BOF - Andere acties
Publicaties
11 - 20 van 101
- Self-consistent procedure including envelope function normalization for full-zone Schrodinger-Poisson problems with transmitting boundary conditions(2018)
Auteurs: Anne Verhulst, Guido Groeseneken
- Trap-Aware Compact Modeling and Power-Performance Assessment of III-V Tunnel FET(2018)
Auteurs: Yang Xiang, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 3 - Impact of calibrated band-tails on the subthreshold swing of pocketed TFETs(2018)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 2 - Built-In Sheet Charge As an Alternative to Dopant Pockets in Tunnel Field-Effect Transistors(2018)
Auteurs: Anne Verhulst, Yang Xiang, Guido Groeseneken
Pagina's: 658 - 663 - Band-Tails Tunneling Resolving the Theory-Experiment Discrepancy in Esaki Diodes(2018)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 633 - 641 - The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1-xAs nTFETs(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Cor Claeys
Pagina's: 3588 - 3593 - Calibration of bulk trap-assisted tunneling and Shockley-Read-Hall currents and impact on InGaAs tunnel-FETs(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Marc Heyns
Pagina's: 3622 - 3626 - Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Cor Claeys
Pagina's: 109 - 112 - Self-consistent 30-band simulation approach for (non-)uniformly strained confined heterostructure tunnel field-effect transistors(2017)
Auteurs: Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Pagina's: 29 - 32 - Calibration of the high-doping induced ballistic band-tails tunneling current in In0.53Ga0.47As Esaki diodes(2017)
Auteurs: Jasper Bizindavyi, Anne Verhulst, Guido Groeseneken
Aantal pagina's: 3
Patenten
1 - 10 van 10
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Layered structure of a p-tfet (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- Tunnel field-effect transistors based on silicon nanowires (Inventor)
- Drain extension region for tunnel fet (Inventor)
- A tunnel field-effect transistor with gated tunnel barrier (Inventor)
- Tunnel field effect transistor and method for making thereof (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)