Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → HedenFinanciering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
491 - 500 van 534
- Controlled III/V nanowire growth by selective-area vapor-phase epitaxy
Auteurs: Marc Heyns, Stefan De Gendt
Pagina's: H860 - H868 - Transition metal contacts to graphene
Auteurs: Maria Politou, Inge Asselberghs, Iuliana Radu, Thierry Conard, Olivier Richard, Chang Seung Lee, Koen Martens, Safak Sayan, Cedric Huyghebaert, Zsolt Tokei, et al.
Pagina's: 1 - 2 - Performance Enhancement in Multi Gate Tunneling Field Effect Transistors by Scaling the Fin-Width
Auteurs: Anne Verhulst, Stefan De Gendt, Marc Heyns
- Enhancement of acoustic heating during nucleation of acoustic cavitation inside an ultrasonic reactor cavity
Auteurs: Marc Hauptmann, Steven Brems, Elisabeth Camerotto, Marc Heyns, Stefan De Gendt, Christ Glorieux
Pagina's: 516 - 523 - Size-dependent characteristics of indium-seeded Si nanowire growth
Auteurs: Philippe Vereecken, Stefan De Gendt, Marc Heyns
Pagina's: K98 - K100 - Atomic layer deposition of 2D transition metal dichalogenides
Auteurs: Annelies Delabie, Matty Caymax, Benjamin Groven, Markus Heyne, Karel Haesevoets, Johan Meersschaut, Thomas Nuytten, Hugo Bender, Thierry Conard, Patrick Verdonck, et al.
Pagina's: 16 - 17 - Capacitance-voltage characterization of GaAs-Al₂O₃ interfaces
Auteurs: Han Chung Lin, Koen Martens, Annelies Delabie, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 3 - Quasi 2D Si-O Superlattices for Future Nanoelectronic Applications
Auteurs: Suseendran Jayachandran, Marc Heyns, Annelies Delabie
- Molecular beam epitaxial growth of BaTiO3 single crystal on Ge-on-Si(001) substrates
Auteurs: Clement Merckling, Marc Heyns
Pagina's: 1 - 3 - Micromagnetic simulations of magnetoelastic spin wave excitation in scaled magnetic waveguides
Auteurs: Rutger Duflou, Marc Heyns, Iuliana Radu
Pagina's: 192411
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Graphene-based semiconductor device (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)