< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → HedenFinanciering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
1 - 10 van 534
- 2D Materials: Theoretical Study of Magnetic and Contact Properties(2023)
Auteurs: Peter Reyntjens, Bart Sorée, Marc Heyns
- Unraveling the impact of nano-scaling on silicon field-effect transistors for the detection of single-molecules(2023)
Auteurs: Marc Heyns, Koen Martens
Pagina's: 2354 - 2368 - GHz Dynamics of Magnetoelectric Coupling at the Nanoscale(2022)
Auteurs: Frederic Vanderveken, Bart Sorée, Marc Heyns
- Design and Characterization of Quantum Devices for Superconducting Qubit Implementation(2022)
Auteurs: Jeroen Verjauw, Marc Heyns
- Path toward manufacturable superconducting qubits with relaxation times exceeding 0.1 ms(2022)
Auteurs: Jeroen Verjauw, Rohith Acharya, Jacques Van Damme, Marc Heyns
- Lifetime Assessment of InxGa1-xAs n-Type Hetero-Epitaxial Layers(2022)
Auteurs: Clement Merckling, Marc Heyns
- Spintronic Logic Based on Magnetic Domain Walls(2022)
Auteurs: Eline Raymenants, Marc Heyns
- Modelling Topological and Magnetic Materials for Charge and Spin-based Devices(2022)
Auteurs: Sabyasachi Tiwari, Bart Sorée, Kristiaan Temst, Marc Heyns
- Understanding Interface Interactions in Graphene-Ruthenium Hybrids for Next Generation Interconnects(2022)
Auteurs: Swati Achra, Marc Heyns, Bart Sorée
- Electrical Modelling and Characterization of Extended Defects in n Type InxGa1-xAs System(2022)
Auteurs: Po-Chun Hsu, Marc Heyns
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Graphene-based semiconductor device (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)