< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → HedenFinanciering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
21 - 30 van 534
- Electrical spin-wave spectroscopy in nanoscale waveguides with nonuniform magnetization(2021)
Auteurs: Daniele Narducci, Frederic Vanderveken, Marc Heyns
- All-Electrical Control of Scaled Spin Logic Devices Based on Domain Wall Motion(2021)
Auteurs: Eline Raymenants, Marc Heyns
Pagina's: 2116 - 2122 - The Significance of Nonlinear Screening and the pH Interference Mechanism in Field-Effect Transistor Molecular Sensors(2021)
Auteurs: Sybren Santermans, Marc Heyns
Pagina's: 1049 - 1056 - Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key(2021)
Auteurs: Alessandra Leonhardt, Stefan De Gendt, Iuliana Radu, Marc Heyns
- Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key(2021)
Auteurs: Alessandra Leonhardt, Stefan De Gendt, Iuliana Radu, Marc Heyns
- Impact of device scaling on the electrical properties of MoS2 field-effect transistors(2021)
Auteurs: Marc Heyns
- Epitaxy of 2D chalcogenides: Aspects and consequences of weak van der Waals coupling(2021)
Auteurs: Stefan De Gendt, Marc Heyns, Clement Merckling
- First principles investigation of charge transition levels in monoclinic, orthorhombic, tetragonal, and cubic crystallographic phases of HfO2(2021)
Auteurs: Md Nur Kutubul Alam, Marc Heyns, Jan Van Houdt
- Contact to Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides(2021)
Auteurs: Goutham Arutchelvan, Marc Heyns
- Enhancing interface doping in graphene-metal hybrid devices using H2 plasma clean(2021)
Auteurs: Swati Achra, Marc Heyns
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor (Inventor)
- Graphene-based semiconductor device (Inventor)
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device (Inventor)
- Graphene based field effect transistor (Inventor)