< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → 30 apr 2024Financiering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
21 - 30 van 558
- Investigation of Microwave Loss Induced by Oxide Regrowth in High-Q Niobium Resonators(2021)Gepubliceerd in: Physical Review AppliedISSN: 2331-7019Issue: 1Volume: 16
- Role of Stronger Interlayer van der Waals Coupling in Twin-Free Molecular Beam Epitaxy of 2D Chalcogenides(2021)Gepubliceerd in: Advanced Materials interfacesISSN: 2196-7350Issue: 13Volume: 8
- Nanoscale domain wall devices with magnetic tunnel junction read and write(2021)Gepubliceerd in: Nature ElectronicsISSN: 2520-1131Issue: 6Volume: 4Pagina's: 392 - +
- Electrical spin-wave spectroscopy in nanoscale waveguides with nonuniform magnetization(2021)Gepubliceerd in: Applied Physics LettersISSN: 0003-6951Issue: 15Volume: 118
- All-Electrical Control of Scaled Spin Logic Devices Based on Domain Wall Motion(2021)Gepubliceerd in: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESISSN: 0018-9383Issue: 4Volume: 68Pagina's: 2116 - 2122
- The Significance of Nonlinear Screening and the pH Interference Mechanism in Field-Effect Transistor Molecular Sensors(2021)Gepubliceerd in: ACS SensorsISSN: 2379-3694Issue: 3Volume: 6Pagina's: 1049 - 1056
- Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key(2021)Gepubliceerd in: NanotechnologyISSN: 0957-4484Issue: 13Volume: 32
- Impact of device scaling on the electrical properties of MoS2 field-effect transistors(2021)Gepubliceerd in: Scientific ReportsISSN: 2045-2322Issue: 1Volume: 11
- Epitaxy of 2D chalcogenides: Aspects and consequences of weak van der Waals coupling(2021)Gepubliceerd in: Applied Materials TodayISSN: 2352-9407Volume: 22
- First principles investigation of charge transition levels in monoclinic, orthorhombic, tetragonal, and cubic crystallographic phases of HfO2(2021)Gepubliceerd in: JOURNAL OF APPLIED PHYSICSISSN: 0021-8979Issue: 8Volume: 129
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device
- Graphene based field effect transistor
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor
- Graphene-based semiconductor device
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device
- Graphene based field effect transistor