< Terug naar vorige pagina
Onderzoeker
Marc Heyns
- Disciplines:Keramische en glasmaterialen, Materialenwetenschappen en -techniek, Halfgeleidermaterialen, Andere materiaaltechnologie
Affiliaties
- Functionele materialen (SIEM) (Afdeling)
Lid
Vanaf1 aug 2020 → Heden - Functionele Materialen (Afdeling)
Lid
Vanaf1 jan 2012 → 31 jul 2020 - Departement Materiaalkunde (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2007 → 31 dec 2011 - Departement Elektrotechniek (ESAT) (Departement)
Lid
Vanaf1 okt 2005 → 30 sep 2007
Projecten
1 - 10 of 28
- OPERANDO: In-situ studies van de dynamische processen in de atomaire resolutie transmissie elektronen microscoopVanaf1 mei 2020 → 30 apr 2024Financiering: FWO Middelzware apparatuur
- Nanoschaal magnetoakoestische golf apparaten voor ultralage vermogen spintronicsVanaf19 jun 2019 → HedenFinanciering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- 2D Materialen: theoretische studie van magnetische en contacteigenscappenVanaf7 dec 2018 → 20 okt 2023Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Micromagnetische simulaties voor booleaanse en non-booleaanse logicaVanaf1 sep 2018 → 31 dec 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Interface-engineering voor de prestatieverbetering van 2D-veldeffecttransistorsVanaf3 aug 2018 → 14 mrt 2024Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Inzicht in interface-interacties in Grafeen-Ruthenium-hybriden voor interconnects van de volgende generatieVanaf6 nov 2017 → 12 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum op silicium gebaseerde architecturen voor halfgeleider kwantubit implementatie.Vanaf1 okt 2017 → 31 mrt 2022Financiering: FWO Strategische Onderzoeksbeurs
- Fundamentele uitdagingen voor tweedimensionale halfgeleidersVanaf1 okt 2017 → 30 sep 2021Financiering: Fonds Recuperatie Fiscale Vrijstelling
- Ontwerp en karakterisatie van kwantum apparaten voor supergeleidende Qubit implementatieVanaf20 sep 2017 → 19 aug 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
- Elektrische modellering en karakterisering van „extended defects“ in n type InxGa1-xAs-systeemVanaf23 aug 2017 → 11 jan 2022Financiering: Eigen Middelen zoals patrimonium, inschrijvingsgelden, giften, ....
Publicaties
11 - 20 van 556
- Understanding Interface Interactions in Graphene-Ruthenium Hybrids for Next Generation Interconnects(2022)
- Electrical Modelling and Characterization of Extended Defects in n Type InxGa1-xAs System(2022)
- Towards Single-Molecule Sensing with Silicon bioFETs: Modeling and Experiments(2021)
- Impact of Emerging Electrical and Optical 3D Integration Technologies on High Bandwidth Interconnect Systems(2021)
- Time-Domain Spin-Transfer Torque Induced Magnetic Tunnel Junction Reversal Dynamics - Pathways for Fast Spin-Logic Applications(2021)
- Metal induced charge transfer doping in graphene-ruthenium hybrid interconnects(2021)Gepubliceerd in: CarbonISSN: 0008-6223Volume: 183Pagina's: 999 - 1011
- Design and Characterization of Quantum Sillicon-Based Devices for Semiconducting Qubit Implementation(2021)
- Interface admittance measurement and simulation of dual gated CVD WS2 MOSCAPs: Mapping the DIT(E) profile(2021)Gepubliceerd in: SOLID-STATE ELECTRONICSISSN: 0038-1101Volume: 183
- Low dephasing and robust micromagnet designs for silicon spin qubits(2021)Gepubliceerd in: Applied Physics LettersISSN: 0003-6951Issue: 9Volume: 119
- Investigation of Microwave Loss Induced by Oxide Regrowth in High-Q Niobium Resonators(2021)Gepubliceerd in: Physical Review AppliedISSN: 2331-7019Issue: 1Volume: 16
Patenten
1 - 7 van 7
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device
- Graphene based field effect transistor
- A bilayer graphene tunneling field effect transistor
- Bilayer graphene tunneling field effect transistor
- Graphene-based semiconductor device
- Tunnel field effect transistor device and method for making the device
- Graphene based field effect transistor